我們的技術 – 專注於 砷化銦鎵 
我們在砷化銦鎵光電探測器的研發領域，擁有頂尖的晶圓製程與元件封裝技術。憑藉高品質、高良率且高可靠性的製造能力，我們已開發出成熟的產品，包括用於光功率測量的 1mm~3mm 大面積光敏二極體，以及用於 SWIR 成像應用的二維焦平面陣列 (FPA)。
 
我們針對您所有砷化銦鎵光電探測器需求提供完整的解決方案，包含領先的製造、封裝、電子元件及客製化設計產品。我們的宗旨是為客戶提供品質最佳、價格合理、高效率、具創新性且服務最優的砷化銦鎵光電探測器產品。
 
 砷化銦鎵 (InGaAs). 
砷化銦鎵 (InGaAs) 中的銦 (In) 與鎵 (Ga) 為週期表中的第 III 族元素，而砷 (As) 為第 V 族元素。由這些化學族群製成的合金被稱為 "III-V 族化合物"。砷化銦鎵的特性介於 GaAs (砷化鎵) 與 InAs (砷化銦) 之間。
l  電子與光電元件應用。
l  900-1700nm 高靈敏度光電探測器。
l  室溫半導體。
 
 
吸收材料光譜範圍工作溫度
QE in SWIR
InGaAs
(Indium Gallium Arsenide)
0.9-1.7um
 
CLPT also do
0.6-1.7um
1.1-1.9um
1.2-2.2um
0.9-2.6um for PD
+20 °C
High ★
T2SL InGaAs/GaAsSb
(Type2 superlattice of Indium Gallium Arsenide)
0.4-2.05um
-30°C
Moderate
SiGe
(Silicon-Germanium)
0.4-1.5um
+20 °C
Low
PbSe CQD
(Quantum Dot layers)
0.4-2.1um
+20 °C
Low
MCT
(HgCdTe)
1-5um
-200 °C
Low
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